Back-end Process・Deflux Cleaning in IC Packaging

Deflux 助焊劑清洗是什麼?半導體後段封裝製程、清洗站與在線清洗機原理

Deflux(去助焊劑清洗)是半導體後段(封裝)製程中,把焊接後留下的助焊劑殘留洗掉的步驟。在 FCBGA、CoWoS 這類覆晶封裝裡,晶片和基板之間只有很窄的縫隙,殘留洗不乾淨,後面的底部填膠(underfill)就可能產生空洞或脫層。本文整理後段封裝的完整製程、清洗用在哪幾站、一條在線式清洗機從進料到出料怎麼走,以及噴嘴、風刀、靜電消除這些關鍵單元的原理。

重點摘要:Deflux 清洗是什麼?

Deflux 屬於半導體後段(封裝)製程,不是前段晶圓製造。它在植球、黏晶、SMT 回焊之後,用化學藥液加壓噴洗,把助焊劑殘留從晶片與基板的縫隙裡沖出來,再用純水(DI 水)沖淨、風刀與熱風吹乾。覆晶封裝最在意的是:殘留會擋住 underfill 的毛細流動、降低填膠與表面的附著力,造成空洞與脫層。一條在線式清洗機通常分成三區:化學清洗區(藥液噴洗+藥液風刀)、水洗區(溢流水洗+DI 加壓噴洗)、乾燥區(高壓風刀+熱風刀),出料端再加靜電消除。

Deflux 是前段還是後段製程?

後段。半導體製造分成兩大段:前段在晶圓廠裡把電路做在晶圓上;後段在封測廠把晶圓切成晶粒、封裝成可以焊到電路板上的成品,再測試出貨。Deflux 洗的是黏晶、植球回焊後留下的助焊劑,助焊劑只出現在封裝的焊接步驟,所以它是後段製程。

半導體前段與後段製程比較
前段(晶圓製造)後段(封裝測試)
在哪裡做晶圓廠(Fab)封測廠(OSAT),或晶圓廠的先進封裝廠
做什麼微影、蝕刻、薄膜沉積、離子佈植、金屬連線凸塊、研磨、切割、黏晶、填膠、封膠、植球、測試
產出做好電路的晶圓封裝好的晶片成品
清洗洗什麼晶圓表面的微粒、金屬與有機污染(晶圓濕式清洗,不是本文主題)助焊劑殘留、切割粉塵、封膠溢膠(本文主題)

兩個容易混淆的地方:英文的 BEOL(Back End of Line)指的是晶圓廠裡的金屬連線製程,屬於前段,不是封裝。凸塊、晶圓級封裝有時被稱為「中段」;CoWoS 這類先進封裝雖然在晶圓廠內進行,仍屬於封裝,本文都歸在後段。

為什麼要清洗助焊劑?殘留會造成什麼問題

焊接時需要助焊劑去除金屬表面的氧化層、幫助焊料潤濕。回焊之後,助焊劑會留下殘留物。在覆晶封裝裡,晶片用凸塊(bump)焊在基板上,兩者之間的間隙很低、凸塊又密,殘留最容易卡在這裡,也最難洗(Todd & Bixenman,Advanced Packaging)。

接下來的製程是填入 underfill,靠毛細作用流進間隙、固化後把凸塊包住,分散熱應力。殘留會在這一步造成三個問題(Henkel,Flux and Underfill Compatibility):

空洞(void)

殘留改變表面的潤濕性,underfill 流不過去,晶片下方留下沒填到的空洞。

附著力下降

殘留夾在 underfill 與晶片、基板之間,介面黏不牢。

脫層(delamination)

附著力不夠的地方,經過溫度循環或吸濕後,underfill 從表面剝離。

即使用「免洗」(no-clean)助焊劑,殘留仍可能和 underfill 材料起反應;兩者合不合,取決於雙方的化學配方,沒辦法一概而論。所以高階覆晶封裝多半還是會安排 Deflux 清洗。

FCBGA 後段全製程:清洗用在哪幾站?

以覆晶封裝(FCBGA)為例(其他 7 種封裝見8 種封裝流程圖),後段從晶圓進料一路到包裝出貨,共 55 道製程。晶圓端和基板端是兩條各自進行的線,材料來自不同工廠;各自做完後裝進框架匣、料盒,送到組裝線,在覆晶黏晶這一站才會合,接著填膠、植球、切單顆、測試。下圖是 FCBGA 的流程樹狀圖:上面一棵是晶圓和基板兩條線各自準備,在「接合」站會合後,下面一棵是封裝主流程,每一站下方列出全部製程。全程共 11 個濕式清洗站:晶圓線上 5 站(凸塊電鍍前後、去光阻後、凸塊回焊後、研磨後、切割後)在晶圓狀態下用晶圓設備清洗;其餘 6 站是本文介紹的在線清洗機負責的範圍,其中 3 站洗助焊劑(Deflux),3 站洗粉塵與溢膠。

FCBGA共 55 道製程

怎麼讀:每一站由上往下做,做完沿著藍色箭頭接到下一站;並排的材料線同時各自進行,最後往下匯流會合。點任一格可看說明。

黃框:濕式清洗(Deflux/水洗)紫框:電漿清洗(乾式)虛線框:依產品而定藍框:輸送帶直接串接的連線段藍色箭頭:接到下一站綠框:流程終點
材料準備:2 條線同時各自進行,各自做完再送到組裝線會合
晶圓線來自前段晶圓廠
  • 晶圓進料第 1–2 道
    1. 1晶圓進料前段晶圓廠出貨
    2. 2進料檢驗Incoming QC
  • 凸塊第 3–8 道
    1. 3凸塊前電漿除渣Descum
    2. 4凸塊製作Bumping:PI・UBM・電鍍・回焊
    3. 5凸塊電鍍前後清洗前處理+電鍍後水洗
    4. 6去光阻後清洗去光阻・蝕刻種子層後
    5. 7凸塊回焊後清洗晶圓級,用晶圓清洗設備
    6. 8晶圓針測CP
  • 研磨切割第 9–15 道
    1. 9貼保護膠帶BG Tape
    2. 研磨機內建清洗
      1. 10背面研磨Back Grinding
      2. 11背面研磨後清洗去除研磨矽屑
    3. 12撕膠帶・貼切割膠帶Wafer Mount
    4. 切割機內建清洗
      1. 13晶圓切割Wafer Saw
      2. 14切割後清洗DI 水噴洗+旋乾
    5. 15切割後檢查AOI
  • 晶圓送線第 16–18 道
    1. 16裝入框架匣Frame Cassette
    2. 17氮氣櫃暫存防氧化、防潮,依產品
    3. 18搬運到組裝線料車、AGV 或天車
基板線來自載板廠
  • 基板進料第 19 道
    1. 19基板進料・烘烤
  • 分板第 20–21 道
    1. 分板後直接清洗
      1. 20分板Router 1/4 片
      2. 21分板後清洗去粉塵
  • 貼元件第 22–23 道
    1. SMT 連線段
      1. 22SMT 被動元件沾助焊劑・回焊
      2. 23Pad Deflux洗焊墊助焊劑
  • 基板送線第 24–26 道
    1. 24裝入料盒Magazine
    2. 25乾燥櫃暫存防潮,依產品
    3. 26搬運到組裝線
晶粒與基板會合
封裝主流程
  • 覆晶組裝
    • 接合第 27–31 道
      1. 27備料・批號配對Kitting:各路材料依批號配對、點數量
      2. 覆晶連線段:輸送帶串接到清洗機
        1. 28沾/噴助焊劑Flux
        2. 29覆晶黏晶Flip Chip Attach
        3. 30回焊Reflow
        4. 31覆晶後 Deflux最關鍵:洗縫隙內助焊劑
    • 填膠第 32–35 道
      1. 32烘乾Bake
      2. 33填膠前電漿清洗提升 underfill 流動與附著
      3. 34底部填膠Underfill
      4. 35填膠烘烤Cure
  • 成品段
    • 保護第 36–40 道
      1. 36封膠Molding
      2. 37封膠後清洗去溢膠・粉塵,有封膠才有
      3. 38上蓋前電漿清洗依產品
      4. 39上蓋Lid Attach+TIM
      5. 40雷射打印Marking
    • 植球第 41–44 道
      1. 41植球前電漿清洗依產品
      2. 植球連線段
        1. 42沾助焊劑・植球Ball Mount
        2. 43回焊Reflow
        3. 44植球後 Deflux
    • 切單顆第 45–46 道
      1. 切割後直接清洗
        1. 45切單顆Unit Saw
        2. 46切割後清洗去粉塵
  • 測試與出貨
    • 測試第 47–50 道
      1. 47最終測試FT
      2. 48預燒測試Burn-in
      3. 49系統級測試SLT,高階晶片
      4. 50外觀檢查
    • 包裝出貨第 51–55 道
      1. 51成品裝入 TrayJEDEC Tray
      2. 52MSL 烘烤除濕依濕敏等級
      3. 內盒包裝機可一台串接完成
        1. 53真空防潮包裝防潮袋+乾燥劑+濕度卡
        2. 54貼標・裝入內盒
      4. 55裝箱・棧板出貨
      5. ✓ 完成出貨
圖:DEYly 帝亞智能繪製。FCBGA 一般流程共 55 道製程、15 站;晶圓和基板兩條線各自進行,在「接合」站會合。點任一道製程可看說明。實際站點與順序依產品與各廠而定。8 種封裝的流程圖請看半導體後段製程流程圖。
FCBGA 在線清洗機負責的 6 個清洗站(依製程順序)
清洗站前一道製程要洗掉什麼清洗類型
① 分板之後整片基板用 Router 切成 1/4 片(Quarter Panel)切割粉塵去粉塵
② SMT 之後貼被動元件、沾助焊劑、回焊焊墊(Pad)表面的助焊劑與其他污染Pad Deflux
③ 覆晶黏晶之後噴助焊劑 → 覆晶黏晶(Die Attach)→ 回焊(FCBGA/CoWoS)錫膏殘留,以及晶粒與基板縫隙裡沒溶掉的助焊劑Deflux+烘乾
④ 封膠成型之後
(有封膠的產品)
Molding 封膠溢膠(resin flash)與粉塵高壓 DI 水噴洗
⑤ 植球之後沾助焊劑 → 植球(Ball Mount)→ 回焊錫球周圍的助焊劑殘留Deflux
⑥ 切單顆之後1/4 片用 Unit Saw 切成單顆切割粉塵去粉塵

另外晶圓端還有凸塊電鍍前後、去光阻後、凸塊回焊後、研磨後、切割後 5 次晶圓級清洗,由晶圓清洗設備或研磨、切割機內建的清洗單元處理;再加上 4 次電漿清洗(其中 2 次依產品而定)。實際站點與順序依封裝型式與各廠流程而定。第 ③ 站最關鍵:它直接決定 underfill 能不能填好。包裝出貨這一段可參考半導體內盒全自動包裝機。

回焊後:縫隙裡有殘留 Deflux 清洗後 填入 underfill 晶片 晶片 晶片 基板 基板 基板 黃色斜線=助焊劑殘留 縫隙乾淨 藍色=underfill 完整填滿
示意圖,比例非實際尺寸。殘留留在縫隙裡,underfill 流到這裡就會被擋住,形成空洞。

清洗機為什麼接在回焊爐後面?

封測廠不是一條從頭跑到尾的流水線。晶圓、基板來自不同工廠,各自備料;每一段的載具形狀(晶圓、條狀基板、單顆)和速度都不同,還有烘烤、測試這類一次處理一整批的站。所以大部分站之間是一批一批(Lot)裝在料盒裡搬運,中間會暫存。

例外是幾段步驟固定、節奏相近的連線段(上圖「接合」站下方的藍框):「沾助焊劑 → 接合 → 回焊爐 → Deflux」用輸送帶直接串起來。回焊後的助焊劑殘留放越久越難洗,接在回焊爐後面馬上洗,也省掉一次上下料。這就是在線清洗機的位置,評估時除了洗淨力,還要看它能不能和前面的回焊爐接起來:

機構對得上

輸送帶寬度、高度、方向要和回焊爐出口一致,基板尺寸換線時軌道寬度能不能跟著調。

節奏跟得上

清洗機的輸送速度與產能要大於等於回焊爐,否則回焊爐出來的基板會在中間塞住。

訊號接得起來

上下游設備之間要有交握訊號(例如 SMEMA 介面),前一台確認下一台可以收料才送出;再往上接廠內系統回報產量與異常。

不在連線段裡的清洗站,例如分板、切割後的去粉塵,則是以料盒批次上下料。8 種封裝各自的連線段與會合點,請看 半導體封裝流程圖。

其他封裝的清洗站一樣嗎?

不一樣。打線封裝(QFP、QFN)不用助焊劑,所以沒有 Deflux;WLCSP、扇出型的 Deflux 在晶圓狀態下進行;CoWoS、CoPoS 覆晶接合兩次,加上植球,Deflux 至少三次,其中晶片接到中介層(CoW)那一次最難洗,微凸塊間距在 25 µm 以下(ZESTRON)。

8 種封裝從晶圓進料到出貨的每一道製程與清洗站位置,整理在 半導體封裝流程圖。

在線式清洗機怎麼運作?從進料到出料 9 個單元

封裝廠常用的是輸送帶式的在線清洗機:基板放上網狀輸送帶,一路經過各個單元,出來就是乾的。整條線可以分成三區:

化學清洗區 水洗區 乾燥區 藥液加壓噴洗(一) 藥液加壓噴洗(二) 藥液風刀 溢流噴洗 DI 水加壓噴洗(一) DI 水加壓噴洗(二) 高壓風刀 高壓熱風刀(一) 高壓熱風刀(二) 進料 網狀輸送帶前進方向 出料
常見的單元配置示意。各區的單元數依清洗需求增減,例如藥液噴洗可做一段或兩段。
  1. 進料

    作業員把基板放上輸送帶,或由上料機接過來。控制面板(PLC 人機介面)設定好參數後,基板一進料就開始清洗。

  2. 藥液加壓噴洗(一段或兩段)

    用泵浦把清洗藥液加壓,從上下噴管噴向基板,靠藥液的化學作用溶解助焊劑,再用噴流的衝擊力把縫隙裡的殘留帶出來。藥液會經過濾網循環使用,壓力錶顯示噴壓。

    溶解+衝擊藥液過濾循環
  3. 藥液風刀

    進水洗區之前,先用風刀把表面大部分的藥液吹掉,減少藥液被帶進後段水槽。

    減少藥液帶出
  4. 溢流噴洗

    先用溢流水把基板上剩下的藥液沖掉、直接排放,這一段的水不回收進後面的純水段。

  5. DI 水加壓噴洗

    用高壓的去離子水(DI 水)再沖洗,把殘留的污染與微粒洗乾淨。DI 水不含離子,乾燥後比較不會留下水垢或導電殘留。

    去離子水高壓沖洗
  6. 高壓風刀

    用強風把基板表面和縫隙裡的水先吹掉大部分。

  7. 高壓熱風刀

    再用熱風把剩下的水分吹乾,避免水乾掉後留下水痕。

    防止水痕
  8. 出料與靜電消除

    出料端由作業員取下,或接到下料機。基板在風刀吹拂與輸送過程中容易帶靜電,出料前用靜電消除器中和。

為什麼用「加壓噴洗」?扇形噴嘴與縫隙水流

覆晶的縫隙很窄,只靠浸泡,藥液不容易換新,殘留洗不出來。業界歸納清洗效果取決於四個變數:藥液化學、時間、溫度、衝擊能量(Todd & Bixenman)。加壓噴洗就是在提高衝擊能量。

扇形噴嘴的原理

液體在壓力下從噴管進入噴嘴,噴嘴出口是橢圓形,會把液體擠壓;壓力沒有出口,就往兩側展開,噴出來的形狀像一把扇子,所以叫扇形噴霧。一支噴管上排一列扇形噴嘴,噴幅互相銜接,就能在輸送帶寬度上形成一道均勻的水幕。

正面看:一排噴嘴,噴幅互相銜接 側面看:一道薄水幕 噴幅重疊,整個輸送帶寬度都被噴到 側面很薄,衝擊力集中在一條線上 噴管截面
示意圖。實際噴嘴角度、間距與噴壓依產品間隙與輸送速度調整。

水流怎麼鑽進晶片與基板之間

基板跟著網狀輸送帶前進時,上方噴流以一定角度打下來,水流同時順勢鑽進晶片與基板之間的縫隙,把裡面的藥液與殘留推出來。噴管可以上下都裝,基板底面也一起洗。

晶片 基板 噴流斜向打下 水流鑽進縫隙 網狀輸送帶 輸送方向
示意圖,比例非實際尺寸。基板前進加上斜向噴流,縫隙裡的液體不斷被新的液體推出、換新。

風刀與熱風刀:為什麼分兩段吹?

風刀是一條細長出風口,把高壓空氣吹成一道薄而強的氣流,像刀一樣把表面的液體刮掉。清洗機裡風刀出現在兩個位置,目的不一樣:

清洗機裡的兩種風刀
位置目的不做會怎樣
化學區出口:藥液風刀先吹掉表面大部分藥液,再進水洗藥液被帶進水洗段,水洗負擔變重、水質變差
乾燥區:高壓風刀+熱風刀先用強風吹掉大部分水,再用熱風把殘水吹乾水在表面自然乾掉,留下水痕

風刀的氣源常用鼓風機(blower)。乾燥段之後,第 ③ 站(覆晶黏晶後)通常還會再烘烤,確保縫隙裡沒有水分殘留,才進 underfill。

看不到但很重要的輔助單元

過濾器

藥液與水循環使用,過濾器把洗下來的顆粒攔住,避免髒液再噴回基板上。

壓力錶

顯示各段噴壓。噴嘴堵塞、泵浦衰退都會反映在壓力變化上,是日常點檢的第一個數字。

氣液分離器

噴洗與風刀會把液體打成霧氣,氣液分離器把排氣中的液體分離出來,減少藥液損失與排氣污染。

靜電消除器

帶負電的物體,它放出正離子去中和;帶正電的,放出負離子。讓基板出料時回到電中性,避免靜電吸附微粒或損傷元件。

評估清洗製程或清洗機,要先釐清的 5 件事

  1. 產品間隙多低、凸塊多密

    間隙越低、凸塊越密,越需要高衝擊的噴洗與適合窄縫的藥液。先拿到產品的間隙高度與凸塊間距。

  2. 用哪一種助焊劑

    水溶性、免洗、松香型助焊劑的殘留性質不同,藥液要跟著選;助焊劑和 underfill 之間的相容性也要一起看。

  3. 在流程的哪一站

    Deflux、切割後去粉塵、成型後去溢膠,需要的單元組合不同,不一定每站都要化學段。

  4. 產能與基板尺寸

    決定輸送帶寬度、速度,以及噴洗段要做一段還是兩段。

  5. 怎麼驗證洗乾淨了

    先講好驗收方式:目視或顯微鏡檢查殘留、水痕,以及 underfill 後的空洞檢查。驗收標準先定,才比得出不同方案的差別。

常見問題

Deflux 是半導體前段還是後段製程?

後段。Deflux 洗的是封裝焊接步驟留下的助焊劑,出現在覆晶黏晶、植球、SMT 回焊之後,屬於封測廠的後段封裝製程。前段晶圓廠也有清洗,但洗的是晶圓表面的微粒與金屬污染,是不同的製程與設備。

CoWoS 要做幾次 Deflux?

至少三次:晶片接到中介層晶圓之後(CoW)、整組接到基板之後(oS)、植球之後。其中 CoW 這一次最難,微凸塊間距在 25 µm 以下、單顆凸塊數以十萬計,殘留最難從縫隙裡沖出來。

打線封裝需要 Deflux 嗎?

QFP、QFN 這類導線架打線封裝不用助焊劑,所以沒有 Deflux,清洗以切割後清洗、去溢膠與打線前的電漿清洗為主。打線 BGA 因為要植錫球,植球後仍有一次 Deflux。

Deflux 是什麼意思?

Deflux 是 de-flux,去除助焊劑的意思,指焊接後把助焊劑殘留洗掉的清洗製程。在封裝廠常寫成 DFX,例如植球後的 Deflux 站。

用免洗助焊劑(no-clean)還需要清洗嗎?

一般 SMT 不一定要洗,但覆晶封裝後面要填 underfill,免洗助焊劑的殘留仍可能和 underfill 起反應,造成空洞或脫層。要不要洗,取決於助焊劑與 underfill 的相容性,通常要實際測試才知道。

為什麼最後要用 DI 水沖洗?

DI 水是去離子水,不含鈉、氯等離子。用一般自來水沖洗,水乾掉後會留下礦物質與離子殘留,可能造成水痕或影響電性可靠度。

清洗後為什麼還要烘烤?

風刀和熱風刀能吹乾表面,但晶片與基板之間的窄縫裡可能還有水分。進 underfill 之前烘烤,確保縫隙完全乾燥。

切割、成型後的清洗也叫 Deflux 嗎?

不算。切割後清洗是去粉塵,成型後是用高壓 DI 水去除溢膠與粉塵,這兩種通常不需要化學藥液段。Deflux 專指去除助焊劑殘留。

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