Back-end Process・Chip on Panel on Substrate

CoPoS 是什麼?跟 CoWoS 差在哪?面板級先進封裝的製程、時程與挑戰

CoPoS(Chip on Panel on Substrate)是台積電正在開發的面板級先進封裝,屬於半導體後段製程。它把 CoWoS 用的 12 吋圓形晶圓中介層,換成 310×310 mm 的方形面板,一片能做的中介層更多,用來解決 AI 晶片封裝產能不足的問題。本文整理 CoPoS 的結構、跟 CoWoS 的差別、製程流程、量產時程,以及從晶圓換成面板後,製程設備要面對的挑戰。

重點摘要:CoPoS 是什麼?

CoPoS 是 Chip on Panel on Substrate 的縮寫:晶片(Chip)接在面板中介層(Panel)上,再接到封裝基板(Substrate)上。結構跟 CoWoS 一樣是三層,差別在中介層從圓形晶圓變成方形面板,報導指出它是 CoWoS-L/CoWoS-R 的方形延伸版本。依目前公開報導,台積電鎖定 310×310 mm 面板,2026 年在采鈺建置實驗線、進行設備與材料驗證,2027 年試產,最快 2028 年底在嘉義 AP7 量產。

CoPoS 的結構:晶片、面板、基板三層

AI 加速器要把運算晶片和多顆 HBM 高頻寬記憶體放得很近,才能高速傳資料。做法是在晶片和基板之間多放一層「中介層」,晶片之間的細密走線都做在這一層。

CoWoS CoPoS HBM運算晶片HBM 封裝基板(Substrate) 矽中介層(來自 12 吋晶圓) 重佈線中介層(來自方形面板) 300 mm 圓形晶圓 310×310 mm 方形面板
示意圖,比例非實際尺寸。圖:DEYly 帝亞智能繪製。

CoWoS 有三種中介層:CoWoS-S 用整片矽中介層、CoWoS-R 用高分子與銅線的重佈線(RDL)中介層、CoWoS-L 用重佈線中介層再嵌入局部矽橋(台積電 3DFabric)。報導指出 CoPoS 是 CoWoS-L/CoWoS-R 的方形延伸版本(T 客邦),也就是中介層以重佈線為主,才能從晶圓搬到面板上做。

為什麼從圓形晶圓改成方形面板?

中介層是方形的,而且越做越大。圓形晶圓的邊緣放不下完整的方形,中介層越大,浪費的邊緣面積比例越高。方形面板沒有這個問題。

單看面積:12 吋晶圓約 70,686 mm²,310×310 mm 面板是 96,100 mm²,多了約 36%。但實際能放幾片中介層差更多,我們依不同中介層尺寸試算如下:

一片能放幾個中介層?(DEYly 試算)
中介層尺寸12 吋晶圓310×310 mm 面板面板/晶圓
50×50 mm21 片36 片約 1.7 倍
60×60 mm12 片25 片約 2.1 倍
80×80 mm6 片9 片約 1.5 倍

試算條件:晶圓邊緣保留 3 mm、面板四邊保留 5 mm,未扣切割道,僅供比較量級;實際數字依台積電設計規則而定。中介層越大,面板的優勢通常越明顯;但 80 mm 這一列因為面板只放得下 3×3,倍數反而較低,實際效益要看中介層尺寸怎麼排。

CoPoS 跟 CoWoS 差在哪?

CoWoS 與 CoPoS 比較
CoWoSCoPoS
全名Chip on Wafer on SubstrateChip on Panel on Substrate
中介層載具12 吋(300 mm)圓形晶圓310×310 mm 方形面板
中介層種類矽(S)、重佈線(R)、重佈線+矽橋(L)報導指出為 R/L 型的延伸
製程設備晶圓級設備(圓形、12 吋)面板級設備(方形、大尺寸),要重新設計或驗證
狀態量產中,產能吃緊開發中,2026 年設備與材料驗證
量產時程已量產最快 2028 年底至 2029 年
應用AI 加速器、HPC大尺寸 AI 與 HPC 晶片

CoPoS 不是要全面取代 CoWoS。台積電也表示,面板封裝短期內不會取代 CoWoS 用在最大型的 AI 處理器上(Tom's Hardware)。比較可能的情況是兩者並存,CoPoS 用來擴充產能、降低成本。

CoPoS 製程流程

台積電尚未公開完整流程。依公開資訊,CoPoS 的流程跟 CoWoS 相近,只是前半段從晶圓改在面板上做:

  1. 面板中介層

    在 310×310 mm 的載板上塗離型層,做多層重佈線;CoWoS-L 型還要嵌入局部矽橋,最後做出微凸塊焊墊。

  2. 晶片接到面板(CoP)

    運算晶片與 HBM 沾助焊劑後接到面板上,回焊後要做面板級 Deflux,把微凸塊縫隙裡的助焊劑洗乾淨,再烘乾、電漿清洗、填 underfill。

    面板級 Deflux底部填膠
  3. 面板封膠與背面製程

    整片面板封膠、研磨,拆掉載板,做 C4 凸塊。

  4. 面板切割

    把面板切成一個個「晶片+中介層」模組,切割後清洗。

  5. 接到基板(oS)與後段

    跟 CoWoS 相同:覆晶接到基板、Deflux、填膠、上蓋、植球、Deflux、測試、出貨。

每一道製程的完整清單,以及 CoPoS 跟 CoWoS、FCBGA 等 8 種封裝的比較,請看半導體封裝流程圖:CoPoS。

CoPoS 什麼時候量產?時程整理

  1. 報導:采鈺建置首條實驗線、量產放在嘉義

    規劃 2026 年在采鈺設立首條實驗線,量產據點為嘉義科學園區 AP7。

    來源:T 客邦,2025-06-18
  2. 設備與材料驗證期

    TrendForce 指出,台積電鎖定 310×310 mm 基板尺寸,2026 年是設備與材料商的驗證關鍵期。

    來源:經濟日報,2026-06-17
  3. 采鈺龍潭試產線,雙軌評估

    報導指出實驗線分兩條:一條採用國際設備大廠方案,另一條採用台灣設備商方案。

    來源:AI Weekly 引述 The Information,2026-07-30
  4. 進入試產

    依 TrendForce 預估。

    來源:經濟日報
  5. 量產

    TrendForce 估 2028 下半年量產;另有報導指 2028 年底至 2029 年在嘉義 AP7 量產。

    來源:經濟日報、T 客邦
  6. 下一步:玻璃基板

    CoPoS 之後的布局轉向玻璃核心基板(Glass Core Substrate),合理量產時程推估在 2030 年後。

    來源:科技新報,2026-06-17

時程為各媒體與研調機構的報導與預估,非台積電正式公告。

從晶圓換成面板,製程要克服什麼?

翹曲

不同材料疊在一起,熱膨脹係數(CTE)不同,加熱後面板會翹,影響曝光對位與良率。面積越大越明顯(科技新報)。

大面積重佈線

多層金屬、高密度 I/O 要在 310 mm 寬的面板上做得一樣細、一樣均勻,難度比 12 吋晶圓高。

搬送與對位

現有封裝設備大多為圓形晶圓設計,方形大面板的搬送、夾持與對位都要重新設計。

濕製程與清洗

面板級 Deflux 要在整個 310 mm 寬度上噴得均勻、把微凸塊縫隙洗乾淨,還要整片吹乾不留水痕。方形面板適合輸送帶式連續清洗,但噴洗與乾燥的均勻度是驗證重點。

這也是為什麼 2026 年被視為設備驗證的關鍵期:哪些設備能通過面板級驗證,會決定之後的供應鏈。報導指出,台積電先進封裝擴產與 CoPoS 推進,最直接受惠的台灣設備、載板與封測業者有十多家(財報狗,2026-06-08)。

CoPoS 跟 FOPLP、玻璃基板有什麼關係?

三種常被一起提到的面板級技術
技術是什麼跟 CoPoS 的關係
FOPLP面板級扇出型封裝:晶片放在面板上封膠、做重佈線,通常不需要另外的中介層都用方形面板,面板廠與設備商的大面板經驗可以共用
CoPoS面板級的 2.5D 封裝:面板中介層+封裝基板本文主角
玻璃基板用玻璃取代有機材料當基板核心,需要玻璃通孔(TGV)CoPoS 之後的下一步,推估 2030 年後

常見問題

CoPoS 是什麼意思?

CoPoS 是 Chip on Panel on Substrate 的縮寫,台積電開發中的面板級先進封裝。晶片接在方形面板做的中介層上,再接到封裝基板,屬於半導體後段製程。

CoPoS 跟 CoWoS 差在哪?

結構一樣是晶片、中介層、基板三層,差別在中介層:CoWoS 用 12 吋圓形晶圓,CoPoS 用 310×310 mm 方形面板。方形面板邊緣浪費少,一片能做更多中介層。

CoPoS 什麼時候量產?在哪裡生產?

依目前報導,2026 年在采鈺建置實驗線並驗證設備與材料,2027 年試產,最快 2028 年底至 2029 年在嘉義科學園區 AP7 量產。以上為媒體與研調機構預估,非台積電正式公告。

CoPoS 的面板是多大?

依 TrendForce 報導,台積電短期鎖定 310×310 mm。面積約 96,100 mm²,比 12 吋晶圓多約 36%,而且是方形、邊緣浪費少。

CoPoS 會取代 CoWoS 嗎?

短期不會。台積電表示面板封裝短期內不會取代 CoWoS 用在最大型的 AI 處理器,比較可能的是兩者並存,CoPoS 用來擴充產能。

CoPoS 跟 FOPLP 一樣嗎?

不一樣。兩者都用方形面板,但 FOPLP 是扇出型封裝,通常沒有另外的中介層;CoPoS 是面板做的中介層再接到封裝基板,屬於 2.5D 封裝。

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